電子元器件行業研報：國泰君安-電子元器件行業：行業新一輪擴容，半導體設備國產化步入新篇章-211122

本公司持有本報告所述正帆科技(688596)達到其已發行股份的1%以上 2021.11.22 行業新一輪擴容，半導體設備國產化步入新篇章 王聰(分析師)舒迪(分析師)郭航(研究助理) 021-38676820021-38676666021-38038432 wangcong@gtjas.com shudi@gtjas.com guohang024937@gtjas.com 證書編號S0880517010002 S0880521070002 S0880121080011 本報告導讀： 供需緊張推動半導體行業新一輪高強度擴容，中美科技摩擦背景下國產化意愿全面加 強。

本土主要晶圓制造產線已過風險試產期，半導體設備國產化步入新篇章。

摘要： 首次覆蓋，給予“增持”評級。

供需緊張推動半導體行業新一輪高 強度擴容，中美科技摩擦背景下國產化意愿全面加強。

本土主要晶圓 制造產線已過風險試產期，國產化產線進展順利，半導體設備國產化 步入新篇章。

首次覆蓋半導體設備行業，給予“增持”評級。

推薦設 備公司北方華創（002371.SZ）、萬業企業（600641.SH）、中微公司 （688012.SH）、新萊應材（300260.SZ）、華峰測控（688200.SH）、長 川科技（300604.SZ）、華興源創（688001.SH）、光力科技（300480.SZ）、 正帆科技（688596.SH），以及加大資本開支的代工廠中芯國際 （688981.SH）、華虹半導體（1347.HK）、長電科技（600584.SH）、 華天科技（002185.SZ）、通富微電（002156.SZ）。

半導體行業景氣度歷史罕見，高強度資本開支開啟新一輪擴產周期。

半導體行業自2019年下半年開啟景氣度向上周期，自2020年下半年 開啟漲價模式，產能緊張產品缺貨推升半導體行業新一輪高強度擴 容。

半導體行業發動機臺積電年初指引三年1000億美金高強度資本 開支，新一輪行業擴產周期啟動，半導體設備環節率先直接受益。

本土晶圓制造產線已突破良率風險，科技摩擦背景下國產化意愿加 強。

本土兩大存儲基地長江存儲與長鑫存儲已突破早期的風險試產與 良率爬坡階段，一期產能初具規模，后期擴產過程中戰略目標從“爬 良率出產品”向“供應鏈安全”傾斜，Fab廠國產化意愿有望加強。

本土邏輯代工廠規劃擴張產能也以成熟制程為主，國產設備廠導入機 會提升，利好本土半導體設備環節。

國產化產線進展順利，設備國產化由單點突破模式邁向產線協同整 合。

早期國產設備制造商導入內資產線主要通過提升自身產品性能向 海外巨頭看齊，認證周期及認證環節相對更長更繁瑣。

目前在科技摩 擦背景下，國內部分純國產化產線針對成熟制程和成熟產品，從工藝 制造、設計、機臺設備等方面加強全環節協作，部分國產設備廠商有 望從單一產品類公司向工藝平臺類公司升級。

北方華創、中微公司等 國內頭部設備企業有望借助產線國產化，逐步向全面和深度國產化邁進。

風險提示。

中美科技摩擦帶來的不確定性；本土設備企業技術突破不 及預期；本土晶圓制造產線建設不及預期。

首次覆蓋 評級：增持 細分行業評級 半導體增持 重點覆蓋公司列表 代碼公司名稱評級 002371北方華創增持 600641萬業企業增持 688012中微公司增持 300260新萊應材增持 688200華峰測控增持 300604長川科技增持 688001華興源創增持 300480光力科技增持 688596正帆科技增持 688981中芯國際增持 1347華虹半導體增持 600584長電科技增持 002185華天科技增持 002156通富微電增持 相關報告 行業首次覆蓋 股票研究 證券研究報告 電子元器件 目錄 1.半導體行業擴容在即，海外設備龍頭供應鏈地位強勢...................4 1.1.市場規模：700億美金大市場，行業擴容技術升級助力設備環節 再成長............................................................................................4 1.1.1.半導體行業產能緊缺引發漲價潮，“行業擴產設備先行”推升 新一輪景氣周期..........................................................................4 1.1.2.全球市場規模持續擴大，中國市場規模占比逐漸提升.......7 1.1.3.晶圓制造設備占比最大，先進制程迭代帶來各工藝設備結構 性差異8 1.2.市場格局：海外寡頭供應鏈地位強勢，本土企業任重道遠....13 1.3.行業特點：資本先行、客戶高粘性、技術迭代快..................16 1.3.1.資本開支是設備環節有效先行指標.................................16 1.3.2.產品驗證周期長，客戶市場粘性大.................................16 1.3.3.技術迭代帶動產品價值量提升，不同精度等級設備共存.17 2.高強度資本開支+深度國產化為本土設備企業帶來歷史發展機遇.18 2.1.制造環節高強度資本開支為設備行業帶來發展空間..............18 2.2.中美科技摩擦反復，加速設備全面深度國產化.....................21 2.3.資本市場助力行業發展，Fabless廠商自建制造環節.............26 2.4.本土半導體設備企業迎來歷史性發展機遇............................28 3.投資建議及推薦標的..................................................................29 4.風險提示...................................................................................31 4.1.中美科技摩擦帶來的不確定性..............................................31 4.2.本土設備企業技術突破不及預期..........................................31 4.3.本土晶圓制造產線建設不及預期..........................................32 表：本報告覆蓋公司估值表 公司名稱 代碼 收盤價 盈利預測（EPS） PE 評級 目標價 2020A 2021E 2022E 2020A 2021E 2022E 萬業企業6006412021.11.1937.160.330.430.52112.9085.5771.34增持43.11 中微公司6880122021.11.19164.50.801.071.18205.96153.36139.06增持216.04 新萊應材3002602021.11.1946.640.360.731.29127.9863.6536.06增持65 華峰測控6882002021.11.19579.443.256.869.42178.4084.4161.48增持799.34 長川科技3006042021.11.1952.680.140.330.51375.16159.18104.04增持72.64 華興源創6880012021.11.1938.610.600.841.1263.9945.8534.62增持59.23 光力科技3004802021.11.1933.730.220.460.78153.2473.9443.31增持56.67 正帆科技6885962021.11.1928.950.480.720.9859.7640.3629.47增持44.2 中芯國際6889812021.11.1954.710.551.081.2099.8150.4645.72增持84 華虹半導體13472021.11.1947.15 增持 長電科技6005842021.11.1931.680.731.541.7043.2220.5318.64增持42.5 華天科技0021852021.11.1914.090.220.420.5064.3433.4928.18增持17.5 通富微電0021562021.11.1920.790.250.700.9481.6429.5822.23增持27.9 1.半導體行業擴容在即，海外設備龍頭供應鏈地位強勢 1.1.市場規模：700億美金大市場，行業擴容技術升級助力設 備環節再成長 1.1.1.半導體行業產能緊缺引發漲價潮，“行業擴產設備先行”推升新 一輪景氣周期 全球半導體行業目前正處于產能緊張價格上漲的供需矛盾突出時期。

在 疫情影響、中美科技摩擦、全球產業鏈轉移、5G需求升級、新能源汽 車起量、物聯網風起布局等供需兩端多重因素影響下，目前全球半導體 行業產能緊缺，供需缺口持續拉大，行業景氣度有望攀升。

在景氣度持 續性方面，全球晶圓制造最先進制程廠商臺積電法說會指引產能緊缺狀 態有望延續至2022年。

下游市場與客戶相對分散、產品形態相對大宗 的封測環節龍頭廠商包括日月光、長電、華天、通富等企業自2020年 Q4起對各產品價格進行不同程度調漲，在封測產能擴張相對較快情況 下，預計封裝產能供需平衡最早將在2023年實現。

全球與中國半導體銷售額逐月創新高，行業景氣度向上趨勢延續。

據SIA 數據，2021年9月全球半導體銷售額482.8億美元，同比增長27.5%， 連續20個月同比正增長，9月銷售額再次突破前月新高值。

9月中國半 導體銷售額167.2億美元，同比增長24.3%，連續22個月同比正增長， 全球占比維持在35.36%左右。

全球與中國半導體銷售額同創新高，今年 以來同比增速持續爬升，其中中國半導體銷售額同比增速明顯高于全球 水平，增長勢頭強勁。

展望2021年5G、線上應用、汽車電子、AIoT仍 為行業主流發展趨勢，創新升級前景可期，行業景氣度向上趨勢有望延續。

圖1：全球半導體銷售額突破新高且趨勢向上 圖2：中國半導體銷售額突破新高且增速高于全球 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 半導體產業漲價潮來臨，多家海內外廠商交貨周期拉長并調漲產品價格。

自21年年初至今，半導體從代工廠環節開始發生行業價格普漲，代工 廠臺積電、中芯國際、力晶，材料端硅片、封裝基板、覆銅板，封測端 日月光、長電等廠商或環節均有發生漲價，累積傳遞至IC設計端，IC -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 0 10 20 30 40 50 60 全球半導體銷售額（左軸，十億美元） YoY(右軸，%） -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 中國半導體銷售額（左軸，十億美元） YoY(右軸，%） 設計廠商芯片交貨周期拉長、價格上漲蔓延至產業鏈下游各個細分市場， 行業產能持續緊張，行業供給壓力預計持續至2022年。

表1:半導體行業各環節漲價潮來臨 廠商產品類別漲價幅度漲價日期 臺積電晶圓代工取消折扣1月1日 聯電晶圓代工三次漲價2020年Q4起 力成晶圓代工30%~40% 2020年Q4起 日月光封測5%~10% 2021年Q1起 士蘭微功率等不同程度漲價3月1日 華潤微功率等不同程度漲價1月1日 矽力杰所有產品線不同程度漲價1月1日 富滿電子所有產品線漲價10%左右1月1日 ST意法半導體 全線產品不同程度漲價1月1日 匯頂科技GT9系列產品漲價30% 1月1日 晶豐明源驅動IC不同程度漲價1月5日 強茂股份功率等不同程度漲價2020年12月 瑞薩部分模擬和電源產品 不同程度漲價1月1日 數據來源：半導體行業觀察，今日芯聞，公司公告，臺股公司公開法說會，Wind， 國泰君安證券研究 為緩解全球芯片短缺問題，并應對自動駕駛、AI、高效能計算以及5G 通訊等中長期的強勁需求，龍頭代工廠開啟新一輪高強度資本開支。

一 方面由于行業產能供需矛盾突出，另一方面汽車電子、AIoT等新興賽道 強勢崛起，全球代工龍頭臺積電開啟十年周期級別的新一輪高強度資本 開支。

在2008年金融危機前后，臺積電每年資本開支在25億美金左右。

在2010年~2018年，臺積電每年資本開支提升至60~110億美金水平， 平均約88.7億美金，其搶先布局智能手機賽道，與大客戶攜手突破先進 制程迭代，成功打造全球領先的先進制程代工廠。

在2019年~2020年， 臺積電每年資本開支在約170億美金，應對4G到5G的換代周期。

在 2021年~2023年，臺積電指引三年1000億美金高強度資本開支，在智 能手機創新放緩趨勢下，半導體行業有望迎來下一個五年黃金賽道。

本土代工龍頭中芯國際自2020年7月回歸科創板上市后，迅速提升資 本開支強度支撐本土半導體產業發展。

在中美科技摩擦背景下，中芯國 際多次公告其對美國半導體設備供應商采購需進行審批管制，對其先進 制程研發以及成熟制程擴產帶來一定阻力和不確定性。

產能擴張，設備先行。

代工廠高強度資本開支將直接拉動半導體設備環 節訂單量。

圖3：全球代工龍頭臺積電開啟新一輪高強度資本開支 圖4：本土代工龍頭中芯國際回A上市后加速產能擴張 數據來源：Wind，公司公告及法說會，國泰君安證券研究 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 全球主要半導體設備供應地區設備出貨額屢創新高，同比增速達50%。

據Wind數據，2021年9月北美半導體設備出貨額37.18億美元，同比 增長35.53%；9月日本半導體設備出貨額2723.88億日元，同比增長 38.98%。

北美與日本半導體設備出貨額持續高企，均創歷史新高，同比 增速逐月爬升至約50%水平。

在全球芯片缺貨潮影響下，龍頭廠商臺積 電、聯電、中芯國際等代工廠加大資本開支堅定擴產，半導體設備環節 將先行受益。

圖5：北美半導體設備出貨額不斷沖擊新高 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 0 50 100 150 200 250 300 350 400 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 20 21 E 20 22 E 20 23 E 臺積電CAPEX（億美元） 三年1000億美金 資本開支 智能手機黃金賽道 4G到5G換代周期 0 10 20 30 40 50 60 中芯國際CAPEX（億美元） 加速擴張 保障本土供應鏈 -40% -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 0 1 1 2 2 3 3 4 4 5 北美半導體設備出貨額（左軸，十億美元） YoY(右軸，%） 圖6：日本半導體設備出貨額突破歷史新高 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 1.1.2.全球市場規模持續擴大，中國市場規模占比逐漸提升 全球半導體設備市場規模未來幾年有望持續擴張。

隨著半導體產品的加 工面積成倍縮小帶來加工難度不斷擴大，未來生產半導體產品的制造設 備將越來越精細化，價值或持續上升。

根據SEMI數據，預計2022年全 球半導體設備市場規模有望達到1013.1億美元（年初預測為761億美元）， 20-22年CAGR為19.29%。

圖7：全球半導體設備市場規模穩定增長 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 中國半導體設備市場規模增速大于全球增速，正處于快速發展態勢。

由 于中國半導體設備行業起步較晚，因此整體市場規模仍較小。

根據wind 的數據，2020年中國半導體設備市場規模僅為全球半導體設備市場規模 的26.30%。

但隨著下游需求的不斷推動以及國家政策扶持力度的不斷加 強，中國半導體設備市場正迎來高速增長。

根據Wind的數據，從2011 年到2020年，中國半導體市場規模增速明顯大于全球增速，2011-2020 年CAGR為19.92%，大于全球的5.62%。

-30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 0 50 100 150 200 250 300 350 日本半導體設備出貨額（左軸，十億日元） YoY(右軸，%） -10% -5% 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 0 200 400 600 800 1000 1200 2015201620172018201920202021E 2022E 全球半導體設備市場規模（左軸，億美元） YoY(右軸，%） 圖8：中國半導體設備市場規模增速大于全球 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 隨著半導體行業的第三次產業轉移，下游產業需求和政策紅利正推動中 國逐漸成為半導體設備市場的中心。

根據SEMI的數據，中國大陸半導 體市場規模預計2020年將達到173億美元，2016-2020年CAGR為 27.92%，保持高速增長，且預計將于2020年在全球市場占比達到約 27.4%，超過中國臺灣成為全球第一大半導體設備市場。

在半導體晶圓 加工設備領域，根據Gartner的數據，從2014年到2019年，中國大陸 市場規模在全球的比重從10.01%增長到22.07%，并正式超越韓國與中 國臺灣地區，成為全球最大的晶圓加工設備細分市場。

圖9：在半導體設備領域，中國大陸市場規模正逐漸躍居 首位 圖10：在半導體晶圓加工設備領域，中國在全球的占比正 逐漸增加 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 1.1.3.晶圓制造設備占比最大，先進制程迭代帶來各工藝設備結構性 差異 半導體設備是半導體行業的基石，支撐芯片制造和芯片封測行業發展。

半導體行業主要分為上中下三個環節，上游環節包括IP核及設計服務、 材料和設備；中游環節包括設計、芯片制造和芯片封測；下游環節即終 端應用，包括集成電路、分立元件、光電子、傳感器等。

半導體設備雖 -40% -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 2011201220132014201520162017201820192020 全球銷售額（左軸：十億美元）中國銷售額（左軸：十億美元） 全球同比（右軸：%）中國同比（右軸：%） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 0 100 200 300 400 500 600 700 800 20162017201820192020E 2021E 全球各區域半導體設備市場規模（億美元） 中國大陸中國臺灣韓國 北美日本歐洲 其他中國占比（%） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 0 100 200 300 400 500 600 700 201420152016201720182019 全球（左軸：億美元）中國市場占比（右軸：%） 然年產值僅為幾百億美金，卻支撐起10倍大的芯片制造產業，進而為 整個年產值近幾十萬億美金的信息產業的發展起到了關鍵性的作用。

圖11：半導體行業上下游 圖12：半導體設備是半導體行業的基石 數據來源：中微公司招股說明書 數據來源：中微公司招股說明書 半導體設備主要分為晶圓加工設備和封測設備，對應于晶圓加工和封測 的各個環節。

（1）晶圓加工設備：晶圓加工步驟主要分為擴散、光刻、刻蝕、離子 注入、薄膜沉積、拋光等。

以晶圓加工中最重要的光刻為例，光刻又可 以細分為清洗、涂膠、光刻和顯影，對應的晶圓加工設備為清洗機、涂 膠機、光刻機和顯影機（測量的CD/SEM屬于封測設備）。

晶圓處理精 度高，一般在幾納米至幾微米，對加工設備精度要求極高，其中部分工 序需要循環進行多次，需要用到大量的半導體設備。

圖13：集成電路前道晶圓加工/芯片制造工藝流程及設備 數據來源：芯源微招股說明書，國泰君安證券研究 （2）封測設備：封測分為封裝和測試，封裝主要用于芯片后道加工， 工藝流程在晶圓制造后，分為傳統封裝和先進封裝兩種；測試則涵蓋半 導體中游所有環節，從IC設計到IC封裝，都需要經過測試。

傳統封裝 設備包括減薄機、劃片機、貼片機、引線鍵合機等；先進封裝設備包括 清洗機、濺射設備、光刻機、涂覆設備、回熔焊接設備等；測試設備主 要包括測試機、探針臺和分選機。

氧化爐 氧化 RTP設備 熱處理 激光退火設備 激光退火 擴散（重復步驟） 清洗機 清洗 涂膠機 涂膠 光刻機 光刻 顯影機 顯影 CD/SEM 測量 光刻（重復步驟） 干刻/蝕刻機 干刻/蝕刻 清洗機 清洗 刻蝕（重復步驟） 離子注入機 離子注入 等離子去膠機 去膠 清洗機 清洗 離子注入（重復步驟） 物理氣相沉積 設備 物理氣相 沉積 清洗機 清洗 RTP設備 RTP 清洗機 清洗 薄膜沉積（重復步驟） CMP設備 拋光 清洗機 清洗 拋光（重復步驟） 檢測設備 檢測 檢測 圖14：集成電路后道先進封裝工藝流程及設備 圖15集成電路測試工藝流程及設備 數據來源：中微公司招股說明書，國泰君安證券研究 數據來源：國泰君安證券研究 在半導體設備投資中，晶圓加工設備資本開支最大，占近80%。

根據 Gartner的數據，在晶圓廠的資本開支中，半導體設備投資占比最大，占 70%-80%。

在半導體設備投資中，晶圓加工作為集成電路制造過程中最 重要和最復雜的環節，其相關設備占比最大，占78%-80%。

封測設備在 半導體設備中占18%-20%，其中測試設備占比最大，占55%-60%。

圖16：集成電路制造領域典型資本開支結構 數據來源：Gartner 晶圓加工設備市場規模不斷刷新歷史新高，沖擊700億美元關卡。

晶圓 加工設備市場規模自2012-2015年間超過300億美元后，2015-2019年再 次超過500億美元。

據預測，未來2020-2022年，其晶圓加工設備將超 過600億美元，沖擊700億美元關卡。

2018年因為半導體行業景氣度高 企，晶圓加工設備市場規模達到歷史最高值。

2020年由于半導體行業持 續供需失衡，晶圓加工設備市場規模有望超過2018年，再次沖擊歷史 高峰。

根據SEMI的數據，2020年市場規模較2019年預計增長15%， 增至549億美元，超過2018年歷史最高值。

預計得益于存儲半導體市 場的恢復以及先進邏輯半導體方向的投資，2021年、2022年的晶圓加 工設備市場分別較上年增長4%和6%，達到618億美元和655億美元。

圖17：晶圓加工生產設備市場不斷刷新歷史新高 清洗濺射涂膠曝光 清洗機濺射設備涂膠機光刻機 顯影電鍍去膠刻蝕 顯影機電鍍設備去膠機刻蝕機 涂覆助焊劑 涂覆設備 回爐焊接清洗檢測 回爐焊接設備清洗機檢測儀器 IC設計IC制造IC封裝 封裝前測試 封裝后測試 終檢（FT） 晶圓允許測試 （W A T ） 晶圓測試 （C P ） 探針臺+測 試機 測試機+分 選機 封裝前測試 探針臺+測 試機 晶圓允許測試 （W A T ） 晶圓測試 （C P ） 過程控制 測試 量測設備、 質譜儀、 原子顯微 鏡、光罩 缺陷檢查 機等 封裝后測試 終檢（FT） 測試機+分 選機 廠房建設 20%~30% 設備投資 70~80% 設計：2%~7% 土建設施：30%~40% 潔凈室分工：50%~70% 硅片制造：1%~3% 晶圓加工/芯片制造： 78%~80% 封裝測試：18%~20% 機電系統：25%~35% 潔凈室系統：25%~35% 長晶&切磨拋設備：2% 薄膜沉積設備：20% 光刻設備：20% 刻蝕/去膠設備：20% 退火/擴散/注入設備；5% 工藝控制設備：11% 清洗/CMP設備：8% 其他加工設備：8% 封裝設備：40%~45% CP&FT測試設備：55~60% 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究備注：Wafer Fab生產設備包括晶圓工藝處理 設備、附屬設備、光掩模&光罩生產設備 下游應用方面，晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體。

根據SEMI 的數據，2023年，晶圓加工設備市場將達到680億美元，其中 Foundry/Logic占據近一半的市場份額。

值得一提的是，2020年預計增 長率最高的用途是NAND，預計較2019年增長30%。

另外，DRAM在 2020年的同比增長率接近20%。

圖18：晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究備注：Wafer Fab生產設備包括晶圓工藝處理 設備、附屬設備、光掩模&光罩生產設備 封測設備市場開始恢復，測試設備再次沖擊歷史新高。

根據SEMI的數 據預測，2020年封測設備市場規模將達到95億美元，其中封裝設備35 億美元，同比增長20%，測試設備60億美元，同比增長20%。

未來封 裝設備的市場規模主要受到先進封裝需求的帶動，預計2021年同比增 長8%，2022年同比增長5%。

未來測試設備市場規模將受益于5G、HPC 的需求帶動，2021年同比增長4.9%，2022年同比增長6.5%。

圖19：封裝設備市場開始恢復，測試設備市場再次沖擊 歷史新高 圖20先進封裝技術市占率逐年增加 -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 0 10 20 30 40 50 60 70 201220132014201520162017201820192020F 2021F 2022F WFE市場規模（左軸，十億美元）同比增長（右軸，%） 0 10 20 30 40 50 60 70 80 20192020F 2021F 2022F 2023F Wafer Fab Equipment Forecast by Segments（十億美元） DRAMNANDFoundry/Logic Other 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 數據來源：Yole 從增長率和波動性上進行分析，晶圓加工設備市場增長率大于封測設備 市場，市場波動率小于封測設備市場。

根據SEMI的數據計算，晶圓加 工設備2012年-2022年CAGR為8.11%，封測設備2012年-2022年CAGR 為4.86%。

晶圓加工設備2012年-2022年波動率Sx為14.65，封測設備 2012年-2022年波動率為Sx為26.54。

細分設備市場規模方面，半導體設備細分市場隨著先進制程的迭代而出 現較大結構性差異，大部分市場份額被關鍵細分設備占據。

半導體設備 市場份額占比最大的是光刻機、刻蝕設備、薄膜沉積設備三種，分別占 21.8%、18.1%和25.9%的市場份額。

退火設備市場份額占比較小，約為 2.3%。

根據2018到2020年各類前道設備占比數據，半導體設備市場份 額占比排名前三的分別為光刻機、刻蝕和CVD，總占比達到63%。

表2:半導體設備各細分市場規模 細分設備2019年市場規 模（億美元） 市場份額占 比（%） 國外公司國內公司 退火14.032.3% AMAT、TEL、斯庫林、 維易科 北方華創、屹唐 光刻機13021.8% ASML、Nikon、Canon上海微電子 涂膠顯影18.593.1% TEL、DNS、SUSS芯源微 刻蝕10818.1% Lam、TEL、AMAT中微公司、北方華創、屹唐 薄膜沉積15525.9% Lam、TEL、AMAT北方華創、沈陽拓荊 清洗設備30.495.1% DNS、TEL、KLA、Lam盛美、北方華創、芯源微 CMP 23.023.9% AMAT、Ebara華海清科 測試49.578.3% Teradyne、advantest、KLA長川科技、精測電子、華興源創、 華峰測控、上海睿勵、東方晶源 封裝29.324.9% ASMP芯源微、盛美、北方華創 數據來源：SEMI、前瞻產業研究院、ASML公司公告、盛美半導體招股說明書、華海清科招股說明書，國泰君安證券研究 圖21：半導體細分設備占比前三的為光刻機、刻蝕和CVD -40% -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 20102011201220132014201520162017201820192020F2021F2022F Test（億美元） A&P（億美元） Test YOY（%） A&PYOY（%） 數據來源：中微公司公告，國泰君安證券研究 1.2.市場格局：海外寡頭供應鏈地位強勢，本土企業任重道遠 市場格局方面，全球半導體設備市場處于國際巨頭主導的格局。

根據 VLSI的統計數據，2020年全球前5大半導體設備廠商分別為AMAT、 ASML、Lam、TEL及KLA，對應市場份額為17.7%、16.7%、12.9%、 12.3%及5.9%，銷售額合計達604.54億美元、占市場總額的65.50%。

前10大半導體設備廠商總銷售額合計708.08億美元，同比增長19.98%， 市場份額達到76.60%，頭部效應明顯、已形成較為穩定的寡頭壟斷市場 格局。

全球半導體設備市場的集中度不斷上升。

根據Gartner的數據，前十家 半導體設備企業的市場占有率不斷提升，1998年CR10為58.2%。

2020 年，CR10提高到76.6%，增加了18.4pct，其中前五大廠商市占率達到 65.5%。

表3:全球半導體設備公司Top 10 排名所在地區公司名稱 2020年營收 YOY（%） 2020年市場份額 （億美元） 1美國AMAT 163.6521.50% 17.70% 2荷蘭ASML 153.9620.60% 16.70% 3美國Lam 119.2924.90% 12.90% 4日本TEL 113.2118.50% 12.30% 5美國KLA 54.4315.70% 5.90% 6日本Advantest 25.312.50% 2.70% 7日本SCREEN 23.316.00% 2.50% 8美國Teradyne 22.5945.50% 2.40% 9日本Hitachi High-Tech 17.1715.20% 1.90% 10荷蘭ASMI 15.1620.20% 1.60% 合計708.0819.98% 76.60% 數據來源：VLSI，國泰君安證券研究 細分設備市場格局方面，大部分設備的市場份額均由國外企業壟斷。

根 據長江存儲、中芯紹興、積塔、華虹無錫、華力微和株洲中車這五條產 光刻機 21% 刻蝕 20% CVD 22% 過程控制 11% 清洗 6% PVD 4% 涂膠顯影 4% CMP 3% 其他 9% 2018到2020年各類設備占集成電路前段設備的比例 線進行計算，以刻蝕設備、退火設備和薄膜沉積設備市場格局為例： （1）刻蝕設備: 由于刻蝕工藝復雜，技術壁壘高，市場格局高度集中。

根據Gartner的 數據，2019年，Lam、TEL和AMAT在刻蝕設備市場分別占據前三， 總計占有90.88%的市場份額，寡頭壟斷明顯。

國內有部分新興公司正逐 漸打破刻蝕設備市場壟斷，包括中微公司、北方華創、北京屹唐等，三 者分別占據1.08%、0.78%和0.15%的市場份額，目前市場份額占比相對 較小。

內資產線對于國內刻蝕設備公司有明顯的發展推動作用，產線中的國內 設備占比相對較高。

根據中國國際招標網的數據，Lam、TEL和AMAT 總共占據67%的產線份額。

雖然國外公司寡頭現象依然嚴重，但是國內 設備公司的產線份額得到了明顯提升，其中北方華創、中微公司和北京 屹唐三家公司分別占有內資產線8%、9%和2%的市場份額，內資產線 對于國內刻蝕設備的發展具有推動作用。

圖22：2019年全球刻蝕設備市場被寡頭壟斷 圖23：內資產線中中微、北方華創等公司占比明顯提升 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：截止2021年 11月13日 （2）退火設備： AMAT在全球RTP（快速熱處理設備）領域占有絕對領先地位。

退火 設備主要分為氧化/擴散爐、RTP設備和Gate Stack三個部分。

其中在 RTP設備方面，AMAT占有近70%的市場份額，有絕對話語權。

北京屹 唐作為國內公司，在RTP領域有深厚積累，占據10.22%的市場份額， 排名第二。

內資產線中北方華創、國際電氣等國內公司占比明顯提升。

根據中國國 際招標網的數據，市場份額占比最大的為TEL，占46%。

中國公司總計 占有23.17%的市場份額，其中北方華創占17%，北京屹唐占2%。

圖24：2019年全球RTP設備市場被AMAT壟斷 圖25：內資產線中北方華創、北京屹唐等國內公司占比較大 44.72% 28.04% 18.12% 5.25% 1.42% 1.08% 0.78% 0.44% 0.15% Lam TEL AMAT 日立高新 科磊半導體 中微公司 北方華創 三星電子 屹唐半導體 48% 8% 9% 11% 8% 2% 14% 內資產線中刻蝕設備公司占比 Lam 北方華創 中微公司 TEL AMAT 北京屹唐 （Mattson） 其他 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：截止2021年 11月13日 （3）薄膜沉積設備： AMAT、Lam和TEL在薄膜沉積設備領域具有壟斷地位。

薄膜沉積設 備主要分為CVD、PVD和ALD。

根據Gartner的數據，全球CVD設備 被AMAT、Lam和TEL壟斷，三者合計占有70%左右的市場份額。

國內薄膜沉積設備公司主要為北方華創和沈陽拓荊，競爭力較小。

根據 中國國際招標網的數據，AMAT、Lam和TEL在內資產線中占比達到 69%，國內設備公司僅占10.52%，競爭力非常小，其中北方華創占3%， 沈陽拓荊占4%。

圖26：2019年全球CVD設備市場被寡頭壟斷 圖27：內資產線中北方華創、沈陽拓荊等國內公司具有一定 占比 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：截止2021年 11月13日 晶圓加工前道環節國產替代市場廣闊，本土領軍企業挑戰國際巨頭壟斷 地位。

前道制程設備（含前道測試）投資額占比高達80%以上，為半導 體設備領域的核心主戰場。

前道設備市場中海外龍頭廠商高度壟斷，本 土廠商占比較低，主要市場突破口仍集中在本土產線。

在國內政策導向 等支持下，本土產線擴張速度顯著高于全球市場。

本土領軍的設備企業 已經突破部分前道制程設備，憑借多年前道工藝技術積累以及產線國產 化扶持，本土領軍設備企業有望在前道工藝這一核心主戰場挑戰國際巨 頭壟斷地位。

69.59% 10.22% 8.38% 6.52% 5.29% AMAT 屹唐半導體 斯庫林 維易科 國際電氣 46% 17% 9% 8% 2% 18% TEL 北方華創 AMAT 國際電氣 北京屹唐 Others 30% 21%19% 30% AMAT Lam TEL Others 33% 17%19% 17% 4% 3% 7% AMAT Lam TEL 國際電氣 沈陽拓荊 北方華創 Others 本土封測企業全球市占率高，國產封測設備企業市占率有望進一步提升。

據芯思想數據，本土三大封裝企業長電科技、通富微電、華天科技2020 年市占率分別為11.96%、5.05%、3.93%，合計占比20.94%，在全球供 應鏈體系中具有較強話語權。

傳統封裝技術相對穩定，國內設備廠商已 具備一定技術積累與份額。

先進封裝國內市場布局較快，國內封測設備 企業有望受益國內封測環節崛起而進一步提升市占率。

1.3.行業特點：資本先行、客戶高粘性、技術迭代快 1.3.1.資本開支是設備環節有效先行指標 下游資本開支是半導體設備行業一個有效的先行指標。

根據Wind的數 據，從2006年到2020年，全球半導體行業資本開支與集成電路晶圓加 工設備市場規模的同比增長率具有近乎相同的變化關系，集成電路制造 設備產業景氣程度與行業資本開支密切相關，行業資本開支屬于設備行 業整體發展趨勢的先行指標。

這主要是因為設備支出在行業資本開支中 占比最大，占比接近80%，而晶圓加工設備投資又在設備投資中達到近 50%。

圖28：半導體設備資本開支與晶圓制造資本支出變化率高度相似 數據來源：Wind，國泰君安證券研究 1.3.2.產品驗證周期長，客戶市場粘性大 半導體設備涉及多類學科，具有高技術門檻。

技術專利是半導體行業的 護城河，而半導體設備行業更是如此。

該行業涉獵更廣，其設計和制造 過程需要綜合運用電子、機械、物理、化學、材料、軟件系統、自動化 等多學科領域的先進科技。

由于半導體設備的技術參數、運行穩定性等 指標會直接影響半導體產品的產量、質量和良率等生產指標，因此行業 新進入者需要經過較長時間的技術積累，才能在該領域有所突破。

半導體設備由于對技術參數和運行穩定性的嚴格要求，具有長驗證周期 的特點。

半導體設備的產品研發及商業化流程主要分為可行性研究階段、 產品開發及下線階段、客戶端認證階段和量產及生命周期維護階段四個 階段，其中客戶端認證是最為關鍵的步驟。

無論是市場新進入者或新設 備的量產，都要經過下游企業長時間的工藝驗證，包括在具體生產場景 的技術驗證、與客戶的持續溝通、完善技術細節等。

整個驗證周期消耗 時間平均在1年以上，之后設備供應商才會被納入客戶的合格供應商名 單。

以華海清科為例，其Demo機臺平均驗證周期長達12.46個月，銷 售機臺屬于二次采購，驗收周期較短，為4.95個月。

圖29：Demo機臺平均驗收周期為12.46個月 數據來源：華海清科招股說明書備注：Demo機臺一般為新客戶或大生產線上新工 藝的首次應用和驗證 半導體設備通過產品驗證后替換成本高，具有較強的客戶粘性。

由于半 導體設備較長的生產周期和驗證周期，且下游客戶對于產品售后服務響 應速度和售后技術工藝支持都有著較高的要求，因此半導體設備領域具 有較強的客戶粘性，非必要情況下，下游客戶不會輕易更改產線設備。

1.3.3.技術迭代帶動產品價值量提升，不同精度等級設備共存 隨著先進制程逐步推進，晶圓制造復雜度提升，工藝步驟顯著增多，精 度要求也隨著線寬變小而明顯提升，最終帶來半導體設備先進產品價值 量提升。

以集成電路器件刻蝕為例，根據中微公司的公告，就邏輯器件 而言，從40nm到7nm，需要的刻蝕步驟從35步提升到140步，且主要 運用設備也從有限控制的圓筒式刻蝕機發展至現代等離子體刻蝕機。

而 閃存器件與動態存儲器件相對于邏輯器件而言，又存在刻蝕步驟等性能 要求上的差異。

隨著先進制程推進，制造工藝結構復雜度提升，同一產線同一產品可使 用不同精度等級的設備。

以國產存儲廠商128層NAND產品為例，由 于產品層數較多，不同環節對設備的要求存在顯著差異。

其中，光刻機 單臺設備價值量波動范圍約300萬美金~7000萬美金；刻蝕單臺設備價 值量波動范圍約30萬美金~1400萬美金；CVD單臺設備價值量波動范 圍約20萬美金~1100萬美金。

設備價值量差異一方面給新進廠商帶來導 入產線的突破口；另一方面給高研發投入的先進廠商帶來較高護城河。

表4:集成電路器件的刻蝕步驟不斷增多 集成電路器件 ICP電感性刻蝕 CCP電容性刻蝕 總刻蝕步驟 40納米邏輯器件 ≈10 ≈20 ≈35 28納米邏輯器件 ≈25 ≈15 ≈50 10納米邏輯器件 ≈40 ≈60 ≈115 7納米邏輯器件 ≈60 ≈60 ≈140 2D閃存器件 ≈20 ≈15 ≈35 3D閃存器件 ≈20 ≈15 ≈35 19納米動態存儲器≈40 ≈15 ≈55 件 數據來源：中微公司公告，國泰君安證券研究 2.高強度資本開支+深度國產化為本土設備企業帶來 歷史發展機遇 2.1.制造環節高強度資本開支為設備行業帶來發展空間 受益于半導體行業景氣度高企，下游晶圓廠、封測廠資本開支不斷擴大， 加速產能擴張。

2021年，晶圓廠開始加大資本開支進行產能擴張。

臺積 電2021年資本開支計劃比2020年增加66%，達到300億美元的高位。

內資產線長江存儲、長鑫存儲、中芯國際、無錫華虹均規劃大幅進行產 能擴張。

表5: 2021年下游國際晶圓廠擴產規劃 性質 公司 2020年資本支 出（億美元） 2021年資本支 出（億美元） 同比增 速（%） 2021年資本開支詳情及未來擴產規劃 晶圓代工 臺積電 TSMC 18130066% 80%將用于3nm、5nm及7nm等先進制程，10%用于先 進封裝技術量產需求，10%用于特殊制程；未來三年計劃 投資1000億美元擴產+先進制程研發 中芯國際 SMIC 5343 -19% 2021年主要擴產成熟的8英寸、12英寸產能（2021年預 計8英寸擴產4.5w片，12英寸增加1w片月產能） 聯電UMC 1023130% 資本開支預計15%供應8英寸晶圓，85%用于12英寸 晶圓，來實現28納米制程產能擴充。

2021年28納米制 程將成長20%，預計2021年會達5.93萬片，其中有部 分產能來自40nm制程轉換。

2021年4月28日宣布，斥資1000億新臺幣（約合35.7 億美元）擴充其在臺灣臺南科學園區的12英寸Fab 12A P6廠區的28nm芯片產能，同時未來三年內，聯電在臺 南科學園區的總投資金額將達到約1500億新臺幣（約合 53.5億美元） 格羅方德 GF 714100% 計劃在2020/2021年每年新增產能40w~50w片 世界先進 VIS 1.241.7541% 用于產能擴充，滿足8英寸晶圓代工需求 穩懋WIN 2.1 - -穩懋預計斥資850億元新臺幣（折合29.8億美元）設廠； IDM 英特爾143 - - 規劃未來斥資200億美元新建芯片工廠，并向外部客戶 開放晶圓代工業務 鎂光829010% 一部分資本支出用于擴建晶圓廠空間以及無塵式空間， 因為每一代新的技術使用到的工具和基臺都越來越多。

另外，還有一部分的資本支出會用來擴充美光內部封測 設施。

SK海力士87892%公司目標是向先進技術轉移，而不是擴大產能。

數據來源：各公司法說會及公告，國泰君安證券研究 表6: 2021年內資晶圓產能持續擴張 公司 主要產品或制程 進展與規劃 新增月產能（折合12英寸） 2018201920202021E 2022E 長江存儲1期3DNAND設備已經下單9w片，在手產能達到7.5w 片 0.51.5350 長江存儲2期3DNAND廠房建設中，預計2021年下單1w片128 層產品設備訂單 00002.5 合肥長鑫1期19-17nm DRAM擁有4w片19nm，預計2021年下4w片 17nm產品設備訂單 02222 中芯國際-深圳 12英寸線 12英寸成熟制程預計2022年底投產，滿產后產能將達到 4w片/月。

00001 中芯紹興（8英 寸） 特色工藝（MEMS、 IGBT、MOSFET、 RF等產品線） 19年8月設備搬入，19年12月開始量產； 20Q1產能1.2w片，到Q4達到4w片； 紹興12寸廠規劃中 00.21.50.81 中芯國際-北京 新廠 邏輯（成熟制程）廠房建設中，預計2021年底搬入設備00004 中芯國際-8英寸 8英寸成熟制程擴產中100.32待公布 中芯國際-12英寸 12英寸成熟制程擴產中0111待公布 華虹Fab628/20/14nm 2018年試生產,2022年滿產，預計4w片1111 - 華虹無錫1期特色工藝2019年9月一期投片，預計2022年達到 8w片 00.732.81.5 ICRD 28nm純國產線，預計2021年下半年開始陸續 搬入設備并通線；一期產能1.8w片 0000.51 積塔 特色工藝產線 （65/55nm） 6萬片8寸產能以及5萬片12寸產能 00.51.523 合計 2.56.913.317.116+ 數據來源：公司官網，產業鏈調研，國泰君安證券研究 表7: 2021年封測廠商持續擴產 公司 發布時間 規劃 長電科技2020年8月1、長電科技通訊與物聯網集成電路中道封裝技術產業化項目（規劃產能：年產82萬片Bumping、 47億顆芯片封裝） 2、長電科技300mm晶圓級先進制造項目（一期規劃總面積230畝，建成后可形成12英寸晶圓 級先進封裝48萬片的年產能。

二期規劃總面積150畝，以高端封裝產品為研發和建設方向，打 造國際一流水平的先進封裝生產線） 3、年產36億顆高密度集成電路及系統級封裝模塊項目； 4、年產100億塊通信用高密度混合集成電路及模塊封裝項目 通富微電2020年11月 1、11.8億元用于年新增車載品封裝測試16億塊，2020年3月底廠房封頂，設備陸續啟動招標； 2、6.28億元用于年封測中高端集成電路產品4420萬塊，處于準備初期； 3、25.8億元用于年產集成電路產品12億塊（其中：BGA 4億塊、FC 2億塊、CSP/QFN 6億塊）、 晶圓級封裝8.4萬片，二期于2020年8月量產 華天科技2021年1月1、華天南京先進封裝項目：華天南京先進封裝項目（80億元）推進順利，一期（15億元）已經 完成廠房準備正在進行設備安裝，二期和三期最晚于2028年建成運營； 2、集成電路多芯片封裝擴大規模項目：總投資11.58億元。

項目建成后，將形成年產MCM(MCP) 系列集成電路封裝測試產品18億只的生產能力； 3、高密度系統級集成電路封裝測試擴大規模項目：總投資11.5億元，項目建成達產后，將形成 年產SiP系列集成電路封裝測試產品15億只的生產能力； 4、TSV及FC集成電路封測產業化項目：總投資13.25億元，項目建成達產后，將形成年產晶 圓級集成電路封裝測試產品48萬片、FC系列產品6億只的生產能力； 5、存儲及射頻類集成電路封測產業化項目：總投資15億元，達產后，將形成年產BGA、LGA 系列集成電路封裝測試產品13億只的生產能力。

晶方科技2020年7月募投項目《集成電路12英寸TSV及異質集成智能傳感器模塊項目》，主要建設內容圍繞影像傳 感器和生物身份識別傳感器兩大產品領域，擬投資金額14億元，項目建成后將形成年產18萬片 的生產能力。

日月光 2021年4月根據最新法說會：日月光投控2020年機器設備的資本支出為17億美元，預計2021年機器設備 的資本支出不低于2020年水平。

安靠 2021年4月2021年預計資本開支為7億美元，同比增長26.58%。

大部分資本開支將用于第二季度末和第三 /四季度，主要用于投資領域為SiP產線（主要）+晶圓級+倒裝芯片（尤其更大尺寸的倒裝芯片 BGA和MCM模組）。

數據來源：各公司法說會及公告，國泰君安證券研究 本土半導體設備廠商的主要客戶集中在內資產線和部分臺資產線，其中 內資產線占絕大部分份額。

內資產線擴產主力集中在兩大存儲基地長存 /長鑫，以及兩大代工廠中芯國際/華虹。

產線投資中設備投資占比最高， 以本土最大的晶圓制造代工廠中芯國際為例，中芯國際募投項目12英 寸芯片SN1項目的總投資額為90.59億美元，其中生產設置購置及安裝 費達73.30億美元，晶圓制造設備相關占比達到80.9%。

根據IBS統計，隨著技術節點的不斷縮小，集成電路制造的設備投入呈 大幅上升的趨勢。

以5納米技術節點為例，其投資成本高達數百億美元， 是14納米的兩倍以上，28納米的四倍左右。

圖30：SN1項目中生產設備費用占比達到80.9% 圖31：設備投資費用隨技術節點的縮小呈指數增加趨勢 數據來源：中芯國際招股說明書，國泰君安證券研究 數據來源：根據中芯國際招股說明書援引IBS，國泰君安證券研究 根據本土主要晶圓制造產線每年擴產產能峰值測算，本土產線擴產產能 峰值合計約30萬片/月。

其中，不同制程產線對應投資密度不同，據測 算，本土主要產線每年設備投資額峰值合計約220億美元。

進一步，根 據不同工藝設備占總設備投資比例測算，在實現40%國產化率情況下， 薄膜沉積、光刻、刻蝕等環節的本土設備分別對應約17.6億美元市場。

隨著國產化率進一步提升，本土設備廠商直接面向的市場空間將更為廣闊。

表8:本土主要晶圓產線擴產峰值對應設備投資額測算 生產設備購置及 安裝費占比, 80.9% 其他,19.1% 中芯國際12英寸SN1項目投資額構成 21.3425.04 30.82 39.5 47.46 62.72 84.49 114.2 155.57 214.95 0 50 100 150 200 250 每5萬片晶圓產能的設備投資（億美元） 公司 年增產能峰值（片/月，折 合12英寸） 每萬片晶圓產能的設備投 資（億美元） 年設備投資峰值（億 美元） 長江存儲5.0 12.5 62.7 合肥長鑫4.0 12.5 50.2 中芯國際-深圳2.0 5.0 10.0 中芯紹興（8英寸） 1.5 4.3 6.4 中芯國際-京誠5.0 6.2 30.8 華虹Fab 61.0 7.9 7.9 華虹無錫Fab 73.0 6.2 18.5 聞泰臨港2.0 4.3 8.5 士蘭微廈門2.0 4.3 8.5 華潤微重慶2.0 4.3 8.5 積塔半導體2.0 4.3 8.5 合計29.5 220.7 數據來源：公司官網，產業鏈調研，IBS（投資強度參考圖33），國泰君安證券研究。

注：根據本土各產線每年實 際投產平均峰值進行測算。

表9:本土晶圓產線擴產峰值對應各環節本土設備廠市場空間測算（按設備投資峰值220億美金測算） 制造工藝 設備種類 典型份額 占比（%） 本土產線市場 空間（億美元） 假設國產化 率（%） 對應本土設備的市 場空間（億美元） 對應本土企業 薄膜沉積 20% 4440% 17.6北方華創、沈陽拓荊 光刻設備 20% 4440% 17.6上海微電子 刻蝕/去膠 20% 4440% 17.6中微、北方華創、屹唐 涂膠顯影 3% 740% 2.6芯源微 退火/擴散/注入 5% 1140% 4.4北方華創、屹唐、萬業企業 工藝控制 11% 2440% 9.7 清洗/CMP 8% 1840% 7.0 盛美、北方華創、芯源微、 華海清科 其他加工 8% 1840% 7.0 數據來源：Gartner，產業鏈調研，IBS，國泰君安證券研究 2.2.中美科技摩擦反復，加速設備全面深度國產化 2020年中美科技摩擦升級，美對華為芯片斷供生效。

2020年5月15日， 美商務部稱全面限制華為購買采用美國軟件和技術生產的半導體，禁令 升級至半導體設備，設定4個月過渡期。

2020年9月15日，美國對華 為芯片斷供禁令生效。

2020年10月5日，中芯國際公告稱美國商務部 工業與安全局對向中芯國際出口的美國設備等進行限制。

2020年12月 21日，中芯國際公告稱被美國商務部列入“實體清單”，10nm及以下的 產品或技術“推定拒絕”。

表10:中美科技摩擦事件梳理 時間事件 2018.04.16美國商務部發布聲明美國政府在未來7年內禁止中興通訊向美國企業購買敏感產品。

2018.08.13 FIRRMA法案正式生效，對涉及軍工、通訊等高新科技領域、房地產領域的交易進行審查。

2018.10.29美國商務部宣布將對福建晉華集成電路有限公司實施禁售。

2019.01.29美國司法部公布了對華為的起訴書。

2019.05.15美國商務部將把華為及其子公司列入出口管制“實體名單”。

2019.05.20 Google母公司Alphabet暫停向華為轉讓硬件、軟件和技術服務。

華為不能使用Google服務。

2019.08.09華為在東莞舉行華為開發者大會，正式發布操作系統鴻蒙OS。

2020.05.15美國商務部全面限制華為購買采用美國軟件和技術生產的半導體，禁令升級至半導體設備。

2020.05.22美國商務部以“國家安全”為由將33家中國公司和機構列入“實體名單”。

2020.09.15美國對華為芯片斷供禁令生效。

2020.10.05中芯國際公告稱美國商務部工業與安全局對向中芯國際出口的美國設備等進行限制。

2020.12.21中芯國際公告稱被美國商務部列入“實體清單”，10nm及以下的產品或技術“推定拒絕”。

2021.01.09我國商務部公布《阻斷外國法律與措施不當域外適用辦法》。

2021.06.02華為鴻蒙系統發布。

資料來源：美司法部商務部國防部官網，公司公告，國泰君安證券研究 根據中芯國際前后兩次的公告，美國商務部以保護美國國家安全和外交 利益為由，將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”。

公 司被列入“實體清單”后，根據美國相關法律法規的規定，針對適用于美 國《出口管制條例》的產品或技術，供應商須獲得美國商務部的出口許 可才能向公司供應；對用于10nm及以下技術節點（包括極紫外光技術） 的產品或技術，美國商務部會采取“推定拒絕”（Presumption of Denial） 的審批政策進行審核；同時公司為部分特殊客戶提供代工服務也可能受 到一定限制。

美國對中芯國際限令將“10nm技術節點”作為分界點，對“先進制程” 與“成熟制程”進行了再定義，將業界傳統認為的分界點“28nm”或“14nm” 直接提升至“10nm”，美國對中芯國際的制裁在“先進制程”定義上存 在一定程度的妥協與邊際改善。

據SIA數據，2019年邏輯晶圓制造產能 占比約41%，其中＜10nm晶圓制造產能占比約2%，>45nm晶圓制造產 能占比最高約22%。

目前，≥10nm制程的晶圓產能占比高達98%，美 國對中芯國際的制裁將工藝制程分界點劃分為10nm為本土晶圓代工龍 頭的發展帶來了相對確定的發展空間和技術積累時間。

圖32：本土晶圓制造產能占比低，先進制程能力薄弱 注釋：DAO為分立器件、模擬和光電傳感 數據來源：SIA，BCG，SEMI，國泰君安證券研究 中美科技摩擦過程中，華為和中芯國際兩大支柱性企業均受不同程度影 響，半導體設備國產化有望向深度化和全面化發展。

中國半導體設備目 前仍主要依賴于進口設備，國內公司市場規模相對較小，自給能力亟待 提升。

在中美科技摩擦背景下，國內政策傾斜、Fab廠國產化意愿加強、 資本市場活躍注入、設備廠抓住歷史機遇等多方面因素促使半導體設備 國產化逐漸走向深度化和全面化。

根據中國半導體工業協會的數據， 2020年中國半導體設備銷售額預計將達到213億美元，國產化率預計將 首次超過20%。

圖33：中國半導體設備國產化率加速上升 數據來源：中國半導體工業協會，國泰君安證券研究 從細分設備市場來看，ICP刻蝕設備、CVD成膜設備、摻雜設備、量 測設備、光刻設備上升速度明顯。

通過統計截止到2021年11月13日 中國國際招標網所公示的設備中標情況，對六大產線（長江存儲、中芯 紹興、華虹無錫、華力微、株洲中車、積塔）每一類設備的總采購量以 及國產化率進行測算。

根據測算，2020H2至今六大產線中ICP刻蝕設 備、CCP刻蝕設備、PVD成膜設備、CMP設備、爐管設備、清洗設備 以及去膠設備國產化率較高，均超過了30%，其中清洗設備達到50%。

技術壁壘較高的量測設備、光刻設備以及摻雜設備雖然國產化率很低， 0% 5% 10% 15% 20% 25% 0 50 100 150 200 250 201520162017201820192020E 國產半導體設備銷售額（左軸：億元）國產化率（右軸：%） 但是上升趨勢明顯。

在IC設備國產化的浪潮中，各個子領域均有優秀的本土企業。

其中， 北方華創在ICP刻蝕設備、PVD成膜設備、清洗設備、爐管設備份額提 升顯著，中微半導體在CCP刻蝕設備表現出色，上海微電子在技術壁壘 較高的光刻設備中開始嶄露頭角，華海清科在CMP設備中市場份額逐 漸提升等。

尤其是2020H2至今，北方華創在ICP刻蝕設備市場份額達 到29.27%的市場份額，開始逐漸在該領域與龍頭企業Lam和AMAT分 庭抗禮。

我們預計未來隨著國產替代的持續推進，IC設備的國產化率有 望進一步提升。

圖34：ICP刻蝕設備國產化率持續提升 圖35：近年來CCP刻蝕設備國產化率超過35% 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 圖36：CVD成膜設備國產化率持續提升 圖37：PVD成膜設備國產化率持續提升 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 圖38：近年來CMP設備國產化率超過20% 圖39：清洗設備國產化率持續提升 0% 10% 20% 30% 40% 50% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 ICP刻蝕設備中標量（臺） 北方華創（左軸，臺） Lam（左軸，臺） AMAT（左軸，臺）其他（左軸，臺） 國產化率（右軸，%） 0% 20% 40% 60% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 CCP刻蝕設備中標量（臺） 其他（左軸，臺）北京屹唐（Mattson）（左軸，臺） TEL（左軸，臺） Lam（左軸，臺） 中微半導體（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 0% 10% 20% 0 50 100 150 200 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 CVD設備中標量（臺） 其他（左軸，臺） KOKUSAIELECTRIC（左軸，臺） AMAT（左軸，臺） Lam（左軸，臺） TEL（左軸，臺）沈陽拓荊（左軸，臺） 國產化率（右軸，%） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 PVD設備中標量（臺） 北方華創（左軸，臺） AMAT（左軸，臺） 其他（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 圖40：摻雜設備國產化率持續提升 圖41：量測設備國產化率持續提升 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 圖42：光刻設備國產化率持續提升 圖43：近年來涂膠顯影設備國產化率超過10% 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 0 10 20 30 40 50 60 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 CMP設備中標量（臺） 華海清科（左軸，臺） AMAT（左軸，臺） 其他（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 0 20 40 60 80 100 120 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 清洗設備中標量（臺） SCREEN（左軸，臺）盛美半導體（左軸，臺） Lam（左軸，臺）北方華創（左軸，臺） 沈陽芯源（左軸，臺）其他（左軸，臺） 國產化率（右軸，%） 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 10 20 30 40 50 60 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 摻雜設備中標量（臺） 北京爍科精微電子（左軸，臺） AMAT（左軸，臺） 亞舍立（左軸，臺） Sumitomo（左軸，臺） 其他（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 0 200 400 600 800 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 量測設備中標量（臺） Semics（左軸，臺）東京精密（左軸，臺） KLA（科磊）（左軸，臺） Keysight（左軸，臺） Nextest（左軸，臺）中科飛測（左軸，臺） 其他（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 0% 2% 4% 6% 8% 10% 0 10 20 30 40 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 光刻設備中標量（臺） 上海微電子（左軸，臺） ASML（左軸，臺） CANON（左軸，臺） NIKON（左軸，臺） SUSS（左軸，臺）其他（左軸，臺） 國產化率（右軸，%） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 0 10 20 30 40 50 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 涂膠顯影設備中標量（臺） 沈陽芯源（左軸，臺）上海眾鴻電子（左軸，臺） SCREEN（左軸，臺）其他（左軸，臺） TEL（左軸，臺）國產化率（右軸，%） 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 圖44：近年來爐管設備國產化率超過20% 圖45：去膠設備國產化率穩定在50%左右 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據 更新到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采 購，因此數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計 核心半導體設備中標數量 數據來源：中國國際招標網，國泰君安證券研究備注：（1）數據更新 到2021年11月13日；（2）由于部分設備不通過招標方式采購，因此 數據可能存在一定誤差，后續會進一步更新；（3）僅統計核心半導體 設備中標數量 2.3.資本市場助力行業發展，Fabless廠商自建制造環節 自科創板創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。

在資本市 場助力下，大小Fabless廠商不同程度擴建制造環節，以補強自身產品 流片過程中的產能薄弱環節，增強供應鏈管理能力與話語權。

Fabless廠 商擴產過程中根據自身產品特點對部分設備存在一定客制化需求，在疫 情影響下，國內設備廠商的快速響應能力有望加速該環節產線導入。

自2019年以來A股Fabless和IDM企業募投項目中，設備投資占比超 10%項目投資額超430億元。

其中，設備投資額根據產品差異、企業戰 略定位等存在較大差異，統計企業中各類項目設備投資額占比約在 10%~75%之間。

韋爾股份自建生產線補強流片薄弱環節。

韋爾股份作為本土最大的 Fabless上市公司，發行可轉債約24.4億元用于晶圓測試及晶圓重構生 產等項目建設，規劃于上海松江建設3.5萬片/月測試與3.0萬片/月重構 產能。

韋爾股份作為具有國際競爭力的CIS芯片龍頭企業，借助資本市 場補強CIS芯片流片環節中的產能瓶頸環節，有助于保障自身供應鏈安 全，提升競爭壁壘。

卓勝微與Foundry共建晶圓前道生產專線。

卓勝微作為射頻領域Fabless 龍頭企業，通過定增募資30.1億元發展濾波器芯片等項目。

據公司公告， 公司通過與Foundry共同投入資源合作建立晶圓前道生產專線，使用先 進的管理和設備對晶圓生產過程中的特殊工藝和環節進行快速迭代優 化，綜合晶圓制造企業和公司各自優勢，形成最終的工藝技術能力和量 產能力，同時實現生產效率的提升和成本空間的壓縮。

龍頭企業在規模 擴大后，開始突破發展早期的純Fabless模式，加強與Foundry合作，并 投入資金建立生產專線。

該項目設備投資額占比約62.3%。

0% 20% 40% 0 50 100 150 200 250 300 350 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 爐管設備中標量（臺） 其他（左軸，臺）北京屹唐（Mattson）（左軸，臺） KOKUSAIELECTRIC（左軸，臺） TEL（左軸，臺） AMAT（左軸，臺）北方華創（左軸，臺） 國產化率（右軸，%） 0% 20% 40% 60% 80% 0 20 40 60 80 17H2-18H118H2-19H119H2-20H120H2-至今 去膠設備中標量（臺） 其他（左軸，臺） UCHAIN （左軸，臺） SCREEN（左軸，臺）得升科技（左軸，臺） 北京屹唐（Mattson）（左軸，臺）國產化率（右軸，%） Fabless和IDM企業融資擴產將拉升設備環節訂單量。

格科微規劃于上 海投資74.3億元用于建設CIS研發與產業化項目，設備投資額占比約 72.28%。

華潤微規劃于重慶西永投資42.0億元用于功率半導體封測基 地項目建設，設備投資額占比約69.76%。

此外，部分Fabless廠商募投項目設備投資額占比較低，而對研發進行 高額投入。

恒玄科技IPO募資48.6億元，其中設備和硬件投資占比約 5%，研發投入約80%。

研發投入中晶圓試制費用和封測費用占絕大部分， 也將占用晶圓廠部分產能。

在資本市場資金助力下，較大規模的Fabless廠商加強布局自身供應鏈， 自建產線、共建專線或加強研發等方式將直接或間接拉動設備訂單。

Fabless廠商產品種類相對固定，在自建或共建產能上對部分設備存在一 定客制化需求，為本土企業導入產線打開一條新的通道。

表11:自2019年以來A股Fabless和IDM企業迎來歷史性融資窗口，其中設備投資占比超10%項目投資 額超430億元 公司 募資 類型 時間 募資額 （億元） 項目 項目投資額 （億元） 項目地址 韋爾股份可轉債2020/1224.4晶圓測試及晶圓重構生產線項目（二期） 18.4上海 格科微IPO 2021/669.6 12英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目、 CMOS圖像傳感器研發項目 74.3上海 兆易創新定增2020/643.2 DRAM芯片研發及產業化項目 39.9 北京君正定增2021/414.1 MPU、智能視頻、車載LED照明、車載ISP 21.0 寒武紀IPO 2020/725.8 云端訓練芯片、推理芯片、人工智能芯片及系統項目 19.0 復旦微IPO 2021/56.0可編程片上系統芯片研發及產業化項目 3.6上海 瑞芯微IPO 2020/14.1 影像視頻處理技術、面向語音或視覺處理的人工智 能系列SoC芯片、PMU電源管理芯片升級項目 4.3福州 敏芯股份IPO 2020/78.3 MEMS麥克風、壓力傳感器生產基地新建項目 4.6蘇州 卓勝微 IPO 2019/68.8 射頻濾波器、功率放大器、射頻開關、LNA、 Connectivity MCU芯片及模組研發及產業化項目 10.7無錫 定增2021/230.1 高端射頻濾波器芯片及模組、5G通信基站射頻器 件研發和產業化項目 46.6 力芯微IPO 2021/65.8 高性能電源轉換、驅動芯片、防護芯片研發及產業 化項目 3.5無錫 芯朋微IPO 2020/78.0 大功率電源管理芯片開發、工業級驅動芯片的模塊 開發及產業化項目 3.3無錫 思瑞普IPO 2020/923.1模擬集成電路產品開 發與產業化項目 3.6上海 捷捷微電 定增2020/17.6 電力電子器件生產線建設項目；片式元器件、光電 混合封測生產線建設 7.8啟東 可轉債2021/612.0功率半導體“車規級”封測產業化項目 13.3啟東 揚杰科技定增2021/114.9智能終端用超薄微功率半導體芯片封測項目 13.8揚州 富滿電子定增2021/13.5 5G射頻芯片、LED芯片及電源管理芯片生產建設 項目 5.7深圳 聞泰科技定增 2020/7 58.0 安世中國先進封測平臺及工藝升級項目 18.1 云硅智谷4G/5G半導體通信模組封測和終端研發20.8昆明 及產業化項目 華潤微 IPO 2020/243.18英寸高端傳感器和功率半導體建設項目 15.0無錫 定增2021/450.0功率半導體封測基地項目 42.0重慶 斯達半導 IPO 2020/15.1汽車IGBT、IPM模塊項目 4.5嘉興 定增2021/635.0 高壓特色工藝功率芯片、SiC芯片、功率半導體模 塊研發及產業化項目 30.0嘉興 新潔能IPO 2020/95.0 超低能耗高可靠性及碳化硅寬禁帶半導體功率器 件研發升級及產業化、半導體功率器件封裝測試生 產線建設 9.2無錫 合計 505.6 433.0 資料來源：Wind，公司公告，國泰君安證券研究。

備注：以上統計為不完全統計，設備投資額低于10%的項目未 納入。

2.4.本土半導體設備企業迎來歷史性發展機遇 機遇一： 半導體行業景氣度歷史罕見，高強度資本開支開啟新一輪擴產周期。

半 導體行業自2019年下半年開啟景氣度向上周期，自2020年下半年開啟 漲價模式，產能緊張產品缺貨推升半導體行業新一輪高強度擴容。

半導 體行業發動機臺積電年初指引三年1000億美金高強度資本開支，新一 輪行業擴產周期啟動，半導體設備環節率先直接受益。

機遇二： 中美科技摩擦推升國產化意愿，本土設備中標率明顯提升。

中美科技摩 擦自2018年起逐步升級加劇，2020年9月華為芯片斷供、中芯國際設 備采購受限。

國家層面出臺政策進行產業資源傾斜、本土產線國產化意 愿全面提升、本土設備廠提效抓機會、本土資金與人才流動性加強，在 多方助力下，本土設備廠中標率與訂單量提升明顯，國產自主可控仍是 中長期主旋律。

機遇三： 本土大廠已經躍過風險試產階段，戰略目標從“爬良率出產品”向“供 應鏈安全”傾斜。

本土兩大存儲基地武漢長存、合肥長鑫在2017年~2019 年的發展早期，首要目標是突破技術路徑和專利風險，盡快爬升良率出 產品，其在早期建設過程中供應鏈國產化并非首要任務。

而目前，長存 和長鑫產能已初具規模，躍過早期風險試產階段，后期擴產出于供應鏈 安全角度，國產化意愿與能力有望提升。

同理，中芯國際14nm已量產時間超過一年半，后期擴產規劃主要以成 熟制程為主。

華虹無錫、士蘭微廈門、華潤微重慶的12寸產線均在近 年內量產爬坡，后續擴產有望進一步提升國產化率。

機遇四： 設備國產化由單點突破模式邁向產線協同整合。

早期國產設備制造商導 入內資產線主要通過提升自身產品性能向海外巨頭看齊，認證周期及認 證環節相對更長更繁瑣。

目前在科技摩擦背景下，國內部分產線針對成 熟制程和成熟產品，從工藝制造、設計、機臺設備等方面加強全環節協 作，部分國產設備廠商有望從單一產品類公司向工藝平臺類公司升級， 看好半導體設備環節深度國產化。

機遇五： 資本市場助力行業發展，Fabless廠商自建或共建制造產能。

自科創板 創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。

在資本市場助力下， 大小Fabless廠商不同程度擴建制造環節，以補強自身產品流片過程中 的產能薄弱環節，增強供應鏈管理能力與話語權。

Fabless廠商擴產過程 中根據自身產品特點對部分設備存在一定客制化需求，在疫情影響下， 國內設備廠商的快速響應能力有望加速該環節產線導入。

機遇六： 疫情影響疊加設備訂單旺盛，海外巨頭部分設備交期拉長給本土企業帶 來替代機會。

半導體設備廠主要集中在歐美日地區，半導體制造環節主 要集中在大陸、臺灣、韓國等地區。

在全球疫情影響下，海外巨頭設備 廠商海運交付、工程師調試等受阻，在旺盛設備訂單下，部分海外廠商 設備交期拉長，給本土企業帶來良好的替代機會。

3.投資建議及推薦標的 我們認為：全球半導體行業目前正處于產能緊張價格上漲的供需矛盾突 出時期。

半導體產業漲價潮來臨，多家海內外廠商交貨周期拉長并調漲 產品價格。

為緩解全球芯片短缺問題，并應對自動駕駛、AI、高效能計 算以及5G通訊等中長期的強勁需求，龍頭代工廠開啟新一輪高強度資 本開支。

產能擴張，設備先行。

代工廠高強度資本開支將直接拉動半導 體設備環節訂單量。

本土晶圓制造產線已突破良率風險，科技摩擦背景下國產化意愿加強。

本土兩大存儲基地長江存儲與長鑫存儲已突破早期的風險試產與良率 爬坡階段，一期產能初具規模，后期擴產過程中戰略目標從“爬良率出 產品”向“供應鏈安全”傾斜，Fab廠國產化意愿有望加強。

本土邏輯 代工廠規劃擴張產能也以成熟制程為主，國產設備廠導入機會提升，利 好本土半導體設備環節。

國產化產線進展順利，設備國產化由單點突破模式邁向產線協同整合。

早期國產設備制造商導入內資產線主要通過提升自身產品性能向海外 巨頭看齊，認證周期及認證環節相對更長更繁瑣。

目前在科技摩擦背景 下，國內部分國產化產線針對成熟制程和成熟產品，從工藝制造、設計、 機臺設備等方面加強全環節協作，部分國產設備廠商有望從單一產品類 公司向工藝平臺類公司升級，看好半導體設備環節深度國產化。

資本市場助力行業發展，Fabless廠商自建制造產能。

自科創板創立以 來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。

在資本市場助力下，大小 Fabless廠商不同程度擴建制造環節，以補強自身產品流片過程中的產能 薄弱環節，增強供應鏈管理能力與話語權。

Fabless廠商擴產過程中根據 自身產品特點對部分設備存在一定客制化需求，在疫情影響下，國內設 備廠商的快速響應能力有望加速該環節產線導入。

綜合上述行業邏輯，我們重點推薦各環節龍頭公司。

推薦設備公司北方 華創（002371.SZ）、萬業企業（600641.SH）、中微公司（688012.SH）、 新萊應材（300260.SZ）、華峰測控（688200.SH）、長川科技（300604.SZ）、 華興源創（688001.SH）、光力科技（300480.SZ）、正帆科技（688596.SH）， 以及加大資本開支的代工廠中芯國際（688981.SH）、華虹半導體 （1347.HK）、長電科技（600584.SH）、華天科技（002185.SZ）、通富微 電（002156.SZ）。

表12:重點半導體可比公司盈利預測及估值（股價參考2021年11月19日收盤價） 股票簡稱 收盤價 （元） 市值 （億元） PS 營收（億元） PEEPS 2021E 2022E 2021E 2022E 2021E 2022E 2021E 2022E 北方華創395.51 2079 21.88 15.26 95.04 136.27 220.96 140.25 1.79 2.82 萬業企業37.16 356 29.62 21.55 12.02 16.52 86.42 71.46 0.43 0.52 中微公司164.50 1014 31.93 22.86 31.76 44.36 153.74 139.41 1.07 1.18 新萊應材46.64 106 5.37 4.28 19.75 24.77 63.89 35.88 0.73 1.30 華峰測控579.44 355 39.53 29.12 8.98 12.19 84.34 61.51 6.87 9.42 長川科技52.68 318 23.96 18.12 13.27 17.55 159.64 103.29 0.33 0.51 華興源創38.61 170 7.91 6.54 21.50 26.00 45.96 34.78 0.84 1.11 光力科技33.73 91 15.58 8.92 5.84 10.20 76.66 45.58 0.44 0.74 和林微納111.45 89 22.36 16.82 3.98 5.29 77.94 57.45 1.43 1.94 正帆科技28.95 74 4.61 3.27 16.04 22.63 40.21 29.54 0.72 0.98 設備企業平均估值 20.04 14.44 103.53 73.52 中芯國際54.71 4324 12.74 10.47 339.35 413.14 50.66 45.59 1.08 1.20 長電科技31.68 564 1.89 1.66 298.87 340.69 20.57 18.75 1.54 1.69 華天科技14.094523.76 3.11 120.16 145.55 33.55 28.18 0.42 0.50 通富微電20.792761.83 1.46 150.61 188.91 29.70 22.35 0.70 0.93 前后道代工廠平均估值 5.06 4.17 33.62 28.72 資料來源：Wind，國泰君安證券研究。

備注：上述公司盈利預測來自國泰君安證券預測值 估值方面，半導體設備公司估值水平根據凈利率水平、半導體設備業務 占比、主營設備在晶圓生產過程中的重要性等存在差異。

通常，凈利率 越高估值越高，半導體設備業務占比越高估值越高，主營設備在晶圓生 產過程中越靠近前道估值越高。

考慮切換2022年估值，我們給予龍頭 公司北方華創2022年20倍PS，其他設備公司根據上述三個要素給予差 異性估值。

代工廠估值根據前后道環節以及先進封裝占比不同給給予一 定差異性的PE估值，具體估值理由如下表。

表13:相關公司估值理由 股票簡稱 2020年凈 利率（%） 2020年半導體 業務營收占比 （%） 主營產品布局 估值理由 目標價對應 估值水平 半導體 設備企業 北方華創10.42%超60% 刻蝕機、PVD、CVD、爐 管、清洗機、ALD等半導 體平臺化布局 半導體設備龍頭企業，切換2022 年估值，給予2022年20倍PS 給予2022年 20倍PS 萬業企業31.67% 2.40% 離子注入機、持續布局設 備與材料領域，打造平臺 化企業 離子注入機于2021年切入國產 化產線，并布局打造平臺化設備 材料企業，給予一定估值溢價， 給予2022年25倍PS 給予2022年 25倍PS 中微公司21.66% 專用設備占比 達80% 刻蝕機與MOCVD設備 刻蝕設備龍頭企業，刻蝕在前道 設備投資額占比超20%，重要性 極高。

給予一定估值溢價，給予 2022年30倍PS 給予2022年 30倍PS 新萊應材6.22% 電子潔凈材料 占比達22% 管道、閥門等半導體潔凈 材料 因半導體業務占比較低，潔凈材 料重要性較低，給予傳統PE估 值與折價，給予2022年50倍 PE 給予2022年 50倍PE 華峰測控50.11% 100.00%測試設備 公司業務占比于半導體測試設 備，毛利率與凈利率水平極高， 給予估值溢價，給予2022年40 倍PS 給予2022年 40倍PS 長川科技10.57% 100.00%分選機與測試機 公司業務分選機占比較高，測試 設備2021年快速增長，給予一 定估值溢價，給予2022年25倍 PS 給予2022年 25倍PS 華興源創15.80% / 2021年突破CIS、SOC芯 片測試機 公司剛突破測試機業務，傳統屏 幕檢測業務占比較高，給予估值 折價，給予2022年10倍PS 給予2022年 10倍PS 光力科技19.38% / 2021年并表ADT切入半 導體晶圓劃片機 公司剛并表ADT，給予估值折 價，給予2022年15倍PS 給予2022年 15倍PS 正帆科技11.20% 35.30% 工藝介質供應系統、高純 特種氣體、潔凈室配套業務 公司業務在晶圓制造過程中稀 缺性與重要性較低，給予估值折 價，給予2022年5倍PS 給予2022年5 倍PS 前后道 代工廠 中芯國際14.64% 98.20% 本土晶圓代工龍頭，攻堅 先進制程 公司為半導體晶圓制造代工本 土龍頭企業，并順利量產14nm， 給予估值溢價，給予2022年70 倍PE 給予2022年 70倍PE 長電科技4.93% 99.60% 本土封測龍頭，先進制程 占比提升 公司為半導體封測龍頭，凈利率 水平較低，給予估值折價，給予 2022年25倍PE 給予2022年 25倍PE 華天科技9.79% 98.20% 本土封測龍頭，盈利水平 領先 公司在封裝企業中盈利水平較 高，給予一定估值溢價，給予 2022年35倍PE 給予2022年 35倍PE 通富微電3.61% 97.80% 本土封測龍頭，受益 AMD快速崛起 公司受益AMD快速崛起，給予 2022年30倍PE 給予2022年 30倍PE 資料來源：Wind，國泰君安證券研究 4.風險提示 4.1.中美科技摩擦帶來的不確定性 半導體產業高度全球化分工，如若中美科技摩擦加劇，可能造成半導體 產業逆全球化發展，帶來供需兩端脫鉤，影響行業快速發展。

4.2.本土設備企業技術突破不及預期 半導體設備為技術密集和資本密集型行業，產品技術形態迭代較快。

因 本土設備企業布局較晚，在技術突破上存在一定風險。

如產品未能跟進 行業發展，可能造成前期研發投入無法收回，企業盈利能力面臨下滑風險。

4.3.本土晶圓制造產線建設不及預期 國產半導體設備廠商訂單高度依賴本土晶圓制造產線新增資本開支。

如 若本土產線建設情況不及預期，可能導致設備企業訂單交付延緩甚至下 降，進而影響設備企業收入規模。